• Unità SSD M.2 veloce con standard PCI Express 4.0 e NVMe 2.0
• Capacità di 1 TB, 1 GB di cache DDR4
• Controller Samsung Pascal ottimizzato
• Velocità massima di lettura di 7.450 MB/s
• Velocità massima di scrittura di 6.900 MB/s
• IOPS massimi in lettura: 1,2 milioni e in scrittura: 1,55 milioni.
• MTBF: 1,5 milioni di ore, garanzia del produttore: 5 anni o 600 TBW (TB Scritto)
SSD M.2 NVMe PCIe 4.0 con velocità di lettura e scrittura da capogiro
In combinazione con la 3D-NAND MLC integrata di Samsung, l’SSD da 1 TB della serie 990 PRO di Samsung raggiunge un’enorme velocità di 7.450 MB/s in lettura e 6.900 MB/s in scrittura, oltre a fantastici valori IOPS di 1.200.000 in 4KB-Read e 1.550.000 in 4KB-Write. Inoltre, è presente 1 GB di cache DDR4 onboard. Anche sui sistemi PCIe 3.0, questa memoria M.2 NMVe è ancora più veloce delle unità SSD M.2 NVMe PCIe 3.0.
Il controller Pascal di Samsung supporta quattro corsie PCI Express dello standard 4.0, che rendono possibile un massimo teorico di circa 8.000 MB/s! Internamente, il controller è collegato alla memoria flash con otto corsie. Grazie a queste caratteristiche, l’SSD è anche compatibile con la Playstation 5.
MLC V-NAND a 3 bit ad alta efficienza con 176 strati
Nella memoria NAND del modello 990 PRO, le celle di memoria sono impilate in più strati. Ciò consente di disporre di maggiori quantità di memoria con velocità di lettura e scrittura più elevate in un’area di blocco di memoria più piccola, aumentando al contempo la durata della memoria e migliorando l’efficienza energetica. Nel modello 990 PRO con capacità totale di 1 TB, le memorie sono popolate solo da un lato e sono dotate di un efficiente dissipatore, il che significa che hanno una maggiore compatibilità e possono essere installate in molti notebook.
Il controller Pascal supporta il promettente protocollo NVMe 2.0, la correzione degli errori LDPC, il Wear Levelling e l’over-provisioning per aumentare la durata. Ciò consente a Samsung di garantire un MTBF (Mean Time Before Failure) di almeno 1,5 milioni di ore e di offrire una garanzia di 5 anni o 600 TBW.
Dettagli tecnici:
• Dimensioni: 22 x 2,3 x 80 mm (L x A x P).
• Formato e interfaccia: M.2/M-Key 2280 (PCIe 4.0 x4, NVMe 2.0)
• Capacità: 1 TB
• Cache: 1 GB (DDR4 SCRAM)
• Controller: Samsung Pascal
• NAND: V-NAND 3-bit MLC, Samsung, 176 strati
• Prestazioni (PCIe 4.0):
Lettura: max. 7.450 MB/s
Scrittura: max. 6.900 MB/s
IOPS (lettura casuale 4KB, QD32): 1.200.000
IOPS (scrittura casuale 4KB, QD32): 1.550.000
• Consumo di energia (massimo / operativo / inattivo): 7,8 / 5,4 / 0,05 W
• Compatibilità (caratteristiche): NVMe 2.0, TRIM, S.M.A.R.T., AES a 256 bit, TCG/Opal 2.0, IEEE 1667 (unità crittografata), Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard, DevSlp, correzione degli errori LDPC, Wear Leveling e overprovisioning
• Vita media: 1,5 milioni di ore
• Volume di scrittura garantito (TBW): 600 terabyte
• Temperatura di esercizio: da 0 a 70 °C
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